北京大学申请非易失半导体存储器专利，本发明可实现随机访问、随机写入、按块擦除

admin 2025-06-04 共78人围观，发现33个评论

金融界2024年1月10日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种非易失半导体存储器及其制备方法“，公开号CN117377323A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种非易失半导体存储器及其制备方法，属于半导体存储器领域。该器件包括衬底、控制栅、存储栅、源区和漏区，衬底位于最下方，具有第一掺杂类型；衬底上方设有源、漏区，源、漏区掺杂为与衬底掺杂类型相反的第二掺杂类型；源、漏区之间的区域为沟道，沟道区分为沟道区一和沟道区二，控制栅覆盖沟道区一，控制栅下表面与沟道区一上表面间为栅介质，在沟道区二上方覆盖铁电层，铁电层为具有铁电特性的材料构成的薄膜，存储栅位于铁电层正上方，控制栅连接字线，漏区连接位线，源区通过共源线接地，衬底接地，控制存储栅的电压改变铁电层电场，使用铁电层极化状态存储“0”、“1”。本发明可实现随机访问、随机写入、按块擦除。