MOS管的米勒效应：真就一无是处了吗？ #米勒效应

这是mos管的导通过程，在t2和t3之间存在一个平坦的小台阶，这就是米勒平台。米勒效应有着延长开关频率、增加功耗、降低系统稳定性诸多让人讨厌的缺点，这是为什么？欢迎来到微碧科普小天地。

mos管在开通后，Vds会开始下降，Id会上升，此时mos管进入了饱和区。但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电为止。随后Vgs又上升到驱动电压的值，此时mos管进入电阻区，此时Vds彻底降下来，开通结束。

米勒电容正是在mos管开通的这个时间段里阻止了Vgs的上升，随后阻止了Vds的下降，使导通损耗的时间变长，导致损耗的增加。也就是说在电感负载下，mos管D极和S极重叠的时间越长，导通损耗就会越大。

这是mos管的电路符号图，这是mos管的等效模型，栅源电容、栅漏电容以及漏源电容都是mos管的寄生电容。器件手册里的寄生电容一般用以下表示：输入电容、输出电容以及反向传输电容。它是因为mos管的制造工艺存在的，因此它无法做到完全消除。

但是可以通过减少栅极电阻Rg来减小米勒效应的影响。下图就是减少栅极电阻Rg到100欧姆的对比，R1越小，gs充电越快，mos管的开启越快。

米勒效应真的一无是处吗？任何事物都有两面性，可以通过增加mos管的栅极电阻，在mos管的G-D极之间并联大型的电容，人为拉长了米勒的台阶。比如在这个电路中就是增加了栅极电阻和G-D极之间的并联电容，由于增大了米勒台阶，输出的波形就变成了一个三角脉冲的形式。