三星取得半导体器件专利，提升存储单元性能

admin 2024-11-08 共58人围观，发现114个评论

金融界2024年4月11日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“包括自旋轨道转矩线的半导体器件“，授权公告号CN111261771B，申请日期为2019年8月。

专利摘要显示，半导体器件可以包括在衬底上的第一存储单元和在衬底上并且邻近第一存储单元的第二存储单元。第一存储单元可以包括：第一参考层；第一存储层；在第一参考层和第一存储层之间的第一隧道层；以及与第一存储层接触的第一自旋轨道转矩(SOT)线。第二存储单元可以包括：第二参考层；第二存储层；在第二参考层和第二存储层之间的第二隧道层；邻近第二存储层的第二SOT线；以及在第二存储层和第二SOT线之间的增强层。