20V/7A双N沟道增强型MOSFET AO8810上市，采用TSSOP-8封装

近期，分立器件知名品牌合科泰推出了一款采用TSSOP-8封装的双N沟道增强型MOSFETAO8810，具有超低导通电阻和低栅极电荷等特点。在TA=25℃的条件下，其漏源电压为20V，栅源电压为±8V，连续漏极电流为7A。

产品特点：

●超低导通电阻：VDS=20V，ID=7A，RDS(ON)≤20mΩ（VGS=4.5V）

●低栅极电荷

●ESD保护

●表面贴装器件

机械数据：

●封装形式：TSSOP-8

●外壳材料：模压塑封，UL可燃性

●分类等级：94V-0

●重量：无

最大额定参数（TA=25℃，除非另有说明）：

电气特性（TA=25℃，除非另有说明)：

*脉冲测试：脉冲宽度≤300µs，占空比≤0.5%