中芯集成-U申请绝缘栅双极型晶体管结构及其制备方法专利，有效防止器件栅极漏电

admin 2025-06-04 共293人围观，发现33个评论

金融界2024年1月24日消息，据国家知识产权局公告，绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请一项名为“绝缘栅双极型晶体管结构及其制备方法“，公开号CN117438304A，申请日期为2022年7月。

专利摘要显示，本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管结构及其制备方法。绝缘栅双极型晶体管结构的制备方法包括：提供基底，基底具有有源区、过渡区和终端区，且包括半导体衬底、栅介质材料层以及导电接触材料层，栅介质材料层以及导电接触材料层依次层叠形成在半导体衬底上；对导电接触材料层进行图形化处理，形成导电接触层，及在过渡区形成电荷释放通孔；至少于过渡区的电荷释放通孔底部形成栅介质增强层；于栅介质增强层上形成层间介质层，且对栅介质材料层进行图形化处理，形成栅介质层。本申请可以有效防止器件栅极漏电。