长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利，提高了位线的性能

admin 2025-05-10 共55人围观，发现23个评论

金融界2024年4月5日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法“，公开号CN117835691A，申请日期为2022年9月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其制备方法，所述制备方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括存储阵列区和外围电路区，其中所述存储阵列区中形成有多个分立的有源区，在所述有源区形成有两个字线沟槽结构，所述两个字线沟槽结构将每一个有源区分为位于两个字线沟槽结构之间的漏区和分别位于两个字线沟槽结构外侧的源区后，在所述半导体衬底上形成绝缘层和位于绝缘层上的第一多晶硅层；在存储阵列区上形成贯穿所述第一多晶硅层和绝缘层的多个通孔，所述通孔底部暴露出相应的所述漏区表面；在所述半导体衬底上形成第二多晶硅层，以填充所述通孔以及覆盖所述存储阵列区和外围电路区。提高了位线的性能。