了解 5 种顶级磁阻 RAM （MRAM） 解决方案

您将在下面探索的5家MRAM初创公司是根据我们的数据驱动的初创公司侦察方法选择的，并考虑了位置、成立年份和技术相关性等因素。该分析基于大数据和人工智能（AI）驱动的StartUsInsightsDiscoveryPlatform，涵盖全球超过1万家初创公司和规模化企业。

下面的全球创业热图重点介绍了我们的创新研究人员为本报告策划的5家MRAM创业公司和规模化企业。此外，您还可以深入了解观察到高启动活动的地区以及我们针对此特定主题分析的158家公司的全球地理分布。

磁阻RAM是一种新的有前途的计算机内存技术。由于几个原因，MRAM有可能成为通用存储器解决方案。特别是，它提供了高速和几乎无限的可靠性，静态RAM（SRAM）等低延迟，以及高密度和电源效率。与传统闪存一样，它是非易失性的。此外，它能够抵抗极端温度和辐射。

英国初创公司LoMaRe开发了一种正在申请专利的压磁RAM技术。与当前最先进的MRAM相比，它具有许多优势，包括与闪存相比，功耗至少降低25.000倍，耐用性更高，并允许在高温下运行。这家初创公司的解决方案在汽车、物联网（IoT）和计算领域找到了应用。

传统电子产品容易受到辐射和温度下降的影响。此外，当功率损耗时，复杂的电子设备需要一些额外的时间来加载，这对于某些用例来说是不可接受的。MRAM是非易失性存储器，即使没有电源也能保存信息。它允许快速恢复工作条件，因为数据不会重新加载到动态RAM（DRAM）或SRAM中。由于对环境条件的高抵抗力，MRAM是一种用于航空航天和国防工业的电子存储器。

Numem是一家总部位于美国的初创公司，提供低功耗MRAM解决方案。与传统SRAM相比，该初创公司的NuRAM和SmartMem智能计算存储器IP内核解决方案的漏电流降低了20倍，面积小了2-3倍。这家初创公司的解决方案在微芯片级别提供了额外的安全级别。由于其对高辐射的抵抗力，NuRAM在NASA的DNN辐射强化协处理器芯片中占有一席之地。

初创公司和研究人员正在寻找提高MRAM密度和速度的方法。MRAM现在相当昂贵，主要是由于缺乏大规模生产。扩大MRAM的制造将不仅在针对企业的产品中，而且在消费市场中得到更广泛的使用。与更广泛传播的自旋传递扭矩MRAM（STT-MRAM）技术相比，SOT-MRAM不需要大电流流过磁性设备进行写入操作，而是使用相邻的金属线。

Antaios是一家来自法国的初创公司，开发SOT-MRAM技术。它降低了能耗，提高了耐用性，并允许亚纳秒级写入。该解决方案易于加工，可实现低成本的片上集成。由于其高可靠性，SOT-MRAM被用作DRAM或SRAM存储器。

传统计算架构的主要限制是称为冯诺依曼瓶颈的内存瓶颈。新的更快类型的存储器，包括MRAM，克服了它。MRAM比处理器的高速缓存（通常由SRAM表示）占用的面积更小，功耗更低。此外，它比传统的动态RAM快得多。

Blueshift是一家英国初创公司，研究新的内存模块，以减少CPU和RAM之间的性能差距。初创公司的技术是架构性的，独立于应用的存储单元技术，并提供更高的内存速度。它还具有加速SRAM，DRAM，MRAM，光子或非易失性数据单元的能力。

磁性半导体器件的开发通常涉及多项测试。与任何半导体器件类似，磁性半导体器件的开发需要花费大量时间。初创公司提供了新的高效工具，可以缩短开发时间并缩短上市时间，这对半导体公司至关重要。

法国初创公司Hprobe提供一项专利技术，使用多维磁场发生器进行晶圆级表征和测试。这家初创公司的晶圆级测试仪表征、控制和监控磁性薄膜，以加快磁性器件的开发和生产。Hprobe的产品线包括用于MRAM和磁性传感器表征和测试的专用工具。该解决方案降低了开发和生产的总成本，帮助半导体制造商更快地测试集成磁路。