三星取得磁阻随机存取存储器器件制造方法专利，提高了存储器的性能

admin 2025-05-14 共25人围观，发现27个评论

金融界2024年1月3日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“制造磁阻随机存取存储器器件的方法”，授权公告号CN109841727B，申请日期为2018年10月。

专利摘要显示，一种制造磁阻随机存取存储器(MRAM)器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成第一磁性层；在所述第一磁性层上形成第一隧道势垒层，使得所述第一隧道势垒层包括第一金属氧化物，所述第一金属氧化物通过在第一温度下氧化第一金属层而形成；在所述第一隧道势垒层上形成第二隧道势垒层，使得所述第二隧道势垒层包括第二金属氧化物，所述第二金属氧化物通过在高于所述第一温度的第二温度下氧化第二金属层而形成；以及在所述第二隧道势垒层上形成第二磁性层。这一专利技术能够提高存储器的性能。