稳压芯片的动态特性

有人提出，对于稳压芯片HT7533通过在输入端口增加缓冲电阻电容，可以减少过冲电压。另外，对于1117稳压芯片，有人提出，在其数据手册中，给出不要使用多层表贴电容，这种阻尼非常小的电容，有可能使得该芯片电压动态调整性能下降。下面通过实际测试，来看一下这两款稳压芯片的动态特性。

设计测试电路，其中包括SOT23封装的稳压芯片，可以焊接XC6206、PT7533。还有SOT223封装，可以焊接1117。利用一个S4010MOS管，带动一个电阻负载。测量输出电压稳定性。布设PCB，适合一分钟制板。一分钟之后，得到测试电路板。

▲图1.1.1实验PCB

▲图1.1.2实验电路板原理图

测量HT7533的输入动态特性，在输入端输入一个12V的电压阶跃信号。测量输出的变化。使用QR10电阻箱在输出增加一个10k欧姆的负载。测量输出信号的变化。青色信号为输出信号，黄色为输入信号。在开始15ms之内，输出电压有大约0.5V的过冲，之后变稳定在3.3V的输出电压。

在输入端口，增加一个10欧姆电阻，限制了输入电压上升速度，可以看到开始的过冲时间减少了。将输入电容增大到20微法，输入电阻增加到51欧姆，HT7533仍然有过冲，时间减少5ms左右。

将输入电阻增加到200欧姆，输入电压上升过渡时间增加到5ms，此时，输出电压就基本上没有过冲。这是将输入缓冲电阻增加到1k欧姆，基本上输出就没有过冲了。

作为对比，将稳压芯片更改成1117,。利用QR10设置输入缓冲电阻为1欧姆。可以看到1117基本输出没有任何过冲。将输入缓冲电阻更换成50欧姆，1117的输出就没有任何过冲了。

通过这个对比，说明在稳压芯片输入端，使用RC缓冲上升电压速率，的确可以减少输出电压过冲。但HT7533芯片的过冲，看起来是娘胎里带来的。无法根除。1117则没有任何过冲现象。

三、瞬态负载

下面测试一下1117的瞬态负载。使用一个功率MOS管，控制电源输出一个5欧姆电阻负载。开关频率为1kHz。负载电流变化大约600mA。测试输出电压变化。在MOS驱动电压为高电平时，对应负载电流为600mA。输出电压略微下降，当MOS驱动电压变为0V，负载电流变化到0mA。输出电压有一个过冲，然后在0.5ms内恢复到3.3V。展开时间，可以看到1117动态调整过程，动态调整过程大约为10微秒。上下波动大约250mV。

本文对两款稳压芯片的动态特性进行了测试。HT7533在输入电压上升过程中，会出现10ms左右的输出电压过冲，过冲大约500mV。通过引入输入串联电阻，减缓输入电压上升速率，可以缩短电压过冲的时间。作为对比，1117并没有电压过程，而且在600mA瞬态电流的变化下，输出电压调整过程只有10微秒左右。