天岳先进申请碳化硅单晶AMB覆铜基板及其功率器件专利，优异的散热性能

admin 2025-01-06 共267人围观，发现48个评论

金融界2024年3月30日消息，据国家知识产权局公告，山东天岳先进科技股份有限公司申请一项名为“一种碳化硅单晶AMB覆铜基板及其功率器件“，公开号CN117779029A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本发明提供了一种碳化硅单晶AMB覆铜基板及其功率器件，涉及封装散热热沉技术领域。碳化硅单晶AMB覆铜基板包括碳化硅单晶基板，位于碳化硅单晶基板上下两面的金属铜层，以及碳化硅单晶基板与金属铜层之间的钎料层；其中，所述碳化硅单晶基板为高阻值的半绝缘型碳化硅单晶材料。本发明碳化硅单晶AMB覆铜基板采用了导热性能优异的碳化硅单晶材料来制备覆铜基板，具有优异的散热性能。