MOS管的导通损耗与结电容，你了解多少？ #导通

当mos管导通后，即使Rds(on)很小，但是在大电流的情况下依旧会存在损耗，这就是mos管的导通损耗，它是由mos管的Rds(on)决定的。欢迎来到微碧科普小天地。

mos管的ds间有个体二极管，假设D指向S，那么其方向与ds方向相反，并且体二极管的正向不导通，反向导通。此外它与普通的二极管类似，它也有钳位电压，这个钳位电压与其流过的电流相关，体二极管上流过的电流越大，钳位电压就越高，这是因为体二极管本身具有内阻。

假设体二极管的压降为0.7V，那么功耗就是P=0.7V*1，因此功耗也是由负载决定的，而且相当大，我们可以将体二极管的功耗叫为续流损耗。

如何设置体二极管的参数？一般为了安全起见，体二极管的电流可以接近或者等于DS之间的电流。

接下来看GS的电容问题。我们知道mos管也分为高压mos和低压mos，我们假设功率都为3KW，低压为24V，电流是125A，高压为310V，电流是9.7A，可以看出低压电流大，高压电流小。

那么是不是可以认为当电流较大时等效内阻就小，而当电流较小时内阻就大，因此低压mos内阻较小，高压mos内阻较大。

其次从耐压上看一般为多个串联，从电流上看一般为多个并联，所以低压mos内阻小，多个管子并联耐压很难会做高，高压mos耐压高，多个管子串联内阻会很大，因此高压mosRds(ON)大，gs电容大，低压mosRds(ON)小，gs电容小。一般结电容大的mos管开通会比较慢，结电容小的则相反。