N沟道场效应管无法断开？别急，只需一个下拉电阻即可搞定

关键词：FET,场效应晶体管,场效应管,断开

Q

FET为何无法断开？

如果你的N沟道场效应管（FET）无法断开或者要花很长时间才能断开，那么很可能是因为你没有为FET栅极搭一条足够低阻的接地通路。

以下图的简易电路为例，在按下按钮（S1）时，低边N沟道FET用于打开5V直流电。

电机应该在按钮按下后开始运行，但问题是，在按钮松开后电机很可能无法停止运行（或只是降至非常慢的速度）。为什么会这样？

首先，可以设想，栅极端和源极端之间有一个隐蔽的电容（由于物理原因只能位于FET内部）。简单来说，你可以把导通/断开FET当作在给这个电容充电/放电。接下来，当按下按钮且开关（S1）闭合时，一股快速的大电流会充满电容并导通FET，然而当松开按钮且开关（S1）断开时，电容里的电流应流到哪去呢？还有就是一个很大的寄生电阻会使此电容放电很缓慢，这一过程的耗时与电阻的欧姆值成正比，因此即使从视觉观察的角度来看，也需要很长的时间（对电子电路来说就是太长的时间段了）。那么，应如何解决这个问题呢？只需添加一个下拉电阻，加快该隐蔽电容的放电速度即可。

另一个重要问题是，在从另一个源极（例如微控制器上的GPIO引脚）上驱动FET栅极的情况中，某些源极可能与上述按钮开关的作用相似，即可以输出（充电）而不能吸收（放电）为电容中的隐蔽FET供电的电流。即使同时支持输出和吸收电流，但如果源极的电源轨突然关闭/断连（无法再吸收电流），而电机还通过未断连的其他源极保持运行，那么你还是会遇到同样的问题。一般来说，比较好的做法是，始终在FET的栅极处设置下拉电阻（有明确要求不得这样设计的情况除外）。

更多有关晶体管的技术信息，请参阅：

晶体三级管基础

FET为何无法导通？

为什么要将电阻与FET的栅极串联？

如何在不减慢断开速度的情况下减慢FET的导通速度？

利用基于SiC的MOSFET提高电源转换效率

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关键词：FET,场效应晶体管,场效应管,断开

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FET为何无法断开？

如果你的N沟道场效应管（FET）无法断开或者要花很长时间才能断开，那么很可能是因为你没有为FET栅极搭一条足够低阻的接地通路。

以下图的简易电路为例，在按下按钮（S1）时，低边N沟道FET用于打开5V直流电。

电机应该在按钮按下后开始运行，但问题是，在按钮松开后电机很可能无法停止运行（或只是降至非常慢的速度）。为什么会这样？

首先，可以设想，栅极端和源极端之间有一个隐蔽的电容（由于物理原因只能位于FET内部）。简单来说，你可以把导通/断开FET当作在给这个电容充电/放电。接下来，当按下按钮且开关（S1）闭合时，一股快速的大电流会充满电容并导通FET，然而当松开按钮且开关（S1）断开时，电容里的电流应流到哪去呢？还有就是一个很大的寄生电阻会使此电容放电很缓慢，这一过程的耗时与电阻的欧姆值成正比，因此即使从视觉观察的角度来看，也需要很长的时间（对电子电路来说就是太长的时间段了）。那么，应如何解决这个问题呢？只需添加一个下拉电阻，加快该隐蔽电容的放电速度即可。

另一个重要问题是，在从另一个源极（例如微控制器上的GPIO引脚）上驱动FET栅极的情况中，某些源极可能与上述按钮开关的作用相似，即可以输出（充电）而不能吸收（放电）为电容中的隐蔽FET供电的电流。即使同时支持输出和吸收电流，但如果源极的电源轨突然关闭/断连（无法再吸收电流），而电机还通过未断连的其他源极保持运行，那么你还是会遇到同样的问题。一般来说，比较好的做法是，始终在FET的栅极处设置下拉电阻（有明确要求不得这样设计的情况除外）。

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FET为何无法导通？

为什么要将电阻与FET的栅极串联？

如何在不减慢断开速度的情况下减慢FET的导通速度？

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