三星申请制造半导体装置的方法专利，源极/漏极接触件可以连接到源极/漏极图案

admin 2025-03-15 共46人围观，发现165个评论

金融界2023年12月19日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“制造半导体装置的方法“，公开号CN117253855A，申请日期为2023年5月。

专利摘要显示，一种制造半导体装置的方法可以包括：在鳍型图案上形成源极/漏极图案；在源极/漏极图案上形成蚀刻停止膜和层间绝缘膜；在层间绝缘膜中形成接触孔；沿着接触孔的侧壁和底表面形成牺牲衬垫；在牺牲衬垫存在的同时执行离子注入工艺；去除牺牲衬垫并沿着接触孔的侧壁形成接触衬垫；以及在接触衬垫上形成源极/漏极接触件。离子注入工艺可以包括将杂质注入到源极/漏极图案中。源极/漏极接触件可以连接到源极/漏极图案。