华为公司申请自对准通道金属氧化物半导体（MOS）器件及其制造方法专利，该专利技术能实现在漂移层中形成结型场效应晶体管

金融界2024年2月23日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“自对准通道金属氧化物半导体（MOS）器件及其制造方法“，公开号CN117597786A，申请日期为2021年9月。

专利摘要显示，本发明涉及一种金属氧化物半导体(Metal‑Oxide‑Semiconductor，MOS)器件，包括：控制电极；第一半导体掺杂类型或第二半导体掺杂类型的电流输出电极；所述第一半导体掺杂类型的缓冲层和所述第一半导体掺杂类型的漂移层；嵌入在所述漂移层中的所述第二半导体掺杂类型的本体区域，其中，所述本体区域用于在所述漂移层中形成结型场效应晶体管(JunctionFieldEffectTransistor，JFET)区域；电流输入电极，包括嵌入在所述本体区域中的所述第一半导体掺杂类型的第一区域和第二区域，其中，所述MOS器件的通道用于形成在所述电流输入电极的所述第二区域与所述本体区域的结和所述本体区域与所述JFET区域的结之间。

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