长鑫存储取得半导体储存器的晶体管结构及其制造方法专利，降低了有源区原始掺杂的浓度，减缓了电场强度并改善了漏电

admin 2025-02-20 共69人围观，发现98个评论

金融界2024年3月27日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体储存器的晶体管结构及其制造方法“，授权公告号CN110299324B，申请日期为2018年3月。

专利摘要显示，本发明提出一种半导体储存器的晶体管结构及其制造方法，该方法包括：在衬底上形成有源区及与之相交的字线；在两个字线之间形成接触窗并沉积导电材料；在衬底上形成位线并与有源区相交错；刻蚀未被位线遮盖的导电材料，形成位线接触垫；以及通过接触窗中的未覆盖区域向有源区注入离子，形成离子再注入区域，并利用离子的散射在有源区靠近字线的侧边形成离子再注入扩散区域。本发明通过接触窗中狭窄的未覆盖区域注入离子，形成离子再注入区域和离子再注入扩散区域，在不影响位线接点的电流路径及阻值的前提下，降低了有源区原始掺杂的浓度，减缓了电场强度并改善了漏电。