亚成微取得SGTMOSFET器件及制备方法专利，使器件具有良好跨导稳定性和线性输出特性

admin 2025-06-01 共163人围观，发现244个评论

金融界2024年2月26日消息，据国家知识产权局公告，陕西亚成微电子股份有限公司取得一项名为“SGTMOSFET器件及制备方法“，授权公告号CN117174758B，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种SGTMOSFET器件及制备方法，SGTMOSFET器件包括：N+型硅衬底、N‑型漂移区、源电极、栅电极、漏电极、介质氧化层、金属层、终端区沟槽和有源区沟槽，有源区沟槽之间形成第一Cell结构、第二Cell结构、第三Cell结构和第四Cell结构，由于不同Cell结构对应的差异化的阈值电压，在利用分离栅结构使高输入电压在器件沟道两端产生的实际电势差趋近饱和的同时，使部分较高阈值电压原胞在相对较低的输入电压区间满足沟道两端的实际电势差大于沟道夹断电压而产生沟道夹断，进入输入输出特性曲线的饱和工作区，从而使器件具有良好跨导稳定性和线性输出特性。