三星申请半导体器件专利，该专利技术能实现更高效的电介质层构建

admin 2025-06-04 共129人围观，发现205个评论

金融界2024年1月24日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“的专利，公开号CN117440683A，申请日期为2023年7月。

专利摘要显示，一种半导体器件包括：下部结构；多个下部电极，所述多个下部电极在所述下部结构上；上部电极，所述上部电极在所述多个下部电极上；电介质层，所述电介质层在所述多个下部电极与所述上部电极之间，并且包括铁电层或反铁电层；以及多个界面层，所述多个界面层在所述多个下部电极与所述电介质层之间，其中，所述多个界面层包括：第一层，所述第一层接触所述多个下部电极，并且包括第一金属元素、不同于所述第一金属元素的第二金属元素和元素氮；以及第二层，所述第二层在所述第一层与所述电介质层之间，并且包括所述第一金属元素、所述第二金属元素和元素氧，其中，所述第一层中的所述第二金属元素的浓度低于所述第二层中的所述第二金属元素的浓度。