三星申请磁性随机存取存储器设备及其操作方法专利，栅极电压高于写入电压

admin 2025-05-10 共91人围观，发现125个评论

金融界2024年2月19日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“磁性随机存取存储器设备及其操作方法“，公开号CN117558324A，申请日期为2018年6月。

专利摘要显示，公开了磁性随机存取存储器设备及其操作方法。磁性随机存取存储器设备可以包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元，多个存储器单元中的每一个包括磁性存储器单元；行解码器，通过多条字线连接到存储器单元阵列；列解码器，通过多条位线和多条源极线连接到存储器单元阵列；写入驱动器，被配置为生成到多条位线中的位线的写入电压，位线由列解码器通过在写入操作中使用栅极电压来从多条位线中选择；以及控制逻辑，被配置为生成栅极电压。栅极电压高于写入电压。